CS8N90F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS8N90F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для CS8N90F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS8N90F даташит

 ..1. Size:770K  crhj
 cs8n90f a9hd.pdf pdf_icon

CS8N90F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N90F A9HD VDSS 900 V General Description ID 8 A CS8N90F A9HD, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 57 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.3 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 ..2. Size:652K  crhj
 cs8n90f a9.pdf pdf_icon

CS8N90F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N90F A9 VDSS 900 V General Description ID 8 A CS8N90F A9, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 57 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.2 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 ..3. Size:666K  convert
 cs8n90f cs8n90p.pdf pdf_icon

CS8N90F

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS8N90F, CS8N90P 900V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS8N90F TO-220F CS8N90F CS8N9

 0.1. Size:770K  wuxi china
 cs8n90fa9hd.pdf pdf_icon

CS8N90F

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS8N90F A9HD VDSS 900 V General Description ID 8 A CS8N90F A9HD, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25 ) 57 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 1.3 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CS8N60P, CS8N60U, CS8N60D, CS8N65F-B, CS8N65F, CS8N65P, CS8N65D, CS8N70F, AOD4184A, CS8N90P, CS9N65F, CS9N65D, CS9N80F, CS9N80P, CS9N90F, CS9N90P, CS9N90W