CS9N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS9N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CS9N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS9N65D даташит

 ..1. Size:403K  convert
 cs9n65f cs9n65d.pdf pdf_icon

CS9N65D

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS9N65F, CS9N65D 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS9N65F TO-220F CS9N65F CS9N6

Другие IGBT... CS8N65F-B, CS8N65F, CS8N65P, CS8N65D, CS8N70F, CS8N90F, CS8N90P, CS9N65F, IRFP064N, CS9N80F, CS9N80P, CS9N90F, CS9N90P, CS9N90W, CS9N90V, CS9N95F, CS9N95W