Справочник MOSFET. CS9N65D

 

CS9N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS9N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CS9N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS9N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  convert
 cs9n65f cs9n65d.pdf pdf_icon

CS9N65D

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS9N65F, CS9N65D650V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS9N65F TO-220F CS9N65FCS9N6

Другие MOSFET... CS8N65F-B , CS8N65F , CS8N65P , CS8N65D , CS8N70F , CS8N90F , CS8N90P , CS9N65F , 5N50 , CS9N80F , CS9N80P , CS9N90F , CS9N90P , CS9N90W , CS9N90V , CS9N95F , CS9N95W .

History: 6N60KL-TMS4-T | SVF8N60F | AP9994GP-HF | RJK1001DPP-E0 | RJK0331DPB-01 | HM25N08D | TK16V60W

 

 
Back to Top

 


 
.