CSFR4N60P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CSFR4N60P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для CSFR4N60P
CSFR4N60P Datasheet (PDF)
csfr4n60f csfr4n60p csfr4n60u csfr4n60d.pdf

CSFR4N60F,CSFR4N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR4N60U,CSFR4N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Ma
Другие MOSFET... CSFR3N60P , CSFR3N60U , CSFR3N60D , CSFR3N60LF , CSFR3N60LP , CSFR3N60LU , CSFR3N60LD , CSFR4N60F , IRF630 , CSFR4N60U , CSFR4N60D , CSFR6N60F , CSFR6N60K , CSFR6N60U , CSFR6N60D , CSFR6N70F , CSFR6N70K .
History: P2610BD | IRF7353D2PBF | FD120N10ZR
History: P2610BD | IRF7353D2PBF | FD120N10ZR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627