CSFR4N60P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSFR4N60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CSFR4N60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSFR4N60P даташит

 ..1. Size:702K  convert
 csfr4n60f csfr4n60p csfr4n60u csfr4n60d.pdf pdf_icon

CSFR4N60P

CSFR4N60F,CSFR4N60P nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CSFR4N60U,CSFR4N60D 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Ma

Другие IGBT... CSFR3N60P, CSFR3N60U, CSFR3N60D, CSFR3N60LF, CSFR3N60LP, CSFR3N60LU, CSFR3N60LD, CSFR4N60F, 8205A, CSFR4N60U, CSFR4N60D, CSFR6N60F, CSFR6N60K, CSFR6N60U, CSFR6N60D, CSFR6N70F, CSFR6N70K