CSFR4N60U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CSFR4N60U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для CSFR4N60U
CSFR4N60U Datasheet (PDF)
csfr4n60f csfr4n60p csfr4n60u csfr4n60d.pdf

CSFR4N60F,CSFR4N60PnvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CSFR4N60U,CSFR4N60D600V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching Integrate fast recovery diode Fast switching speed 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Ma
Другие MOSFET... CSFR3N60U , CSFR3N60D , CSFR3N60LF , CSFR3N60LP , CSFR3N60LU , CSFR3N60LD , CSFR4N60F , CSFR4N60P , STP75NF75 , CSFR4N60D , CSFR6N60F , CSFR6N60K , CSFR6N60U , CSFR6N60D , CSFR6N70F , CSFR6N70K , CSFR6N70U .
History: AP04N70BI-A | ZXMN3B14F | SI2323DDS | MPSH65M170 | BL8N50-I
History: AP04N70BI-A | ZXMN3B14F | SI2323DDS | MPSH65M170 | BL8N50-I



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680