CSP10N4P2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSP10N4P2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 284 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1656 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CSP10N4P2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSP10N4P2 даташит

 ..1. Size:1172K  convert
 csp10n4p2.pdf pdf_icon

CSP10N4P2

CSP10N4P2 100V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Super Low Gate Charge l 100% EAS Guaranteed l RoHS compliant l Green Device Available l Excellent CdV/dt effect decline l Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking C

 8.1. Size:562K  convert
 csp10n8p3.pdf pdf_icon

CSP10N4P2

CSP10N8P3 100V N-Channel Split Gate MOSFET FEATURES l Super Low Gate Charge l 100% EAS Guaranteed l RoHS compliant l Green Device Available l Excellent CdV/dt effect decline l Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS lDC/DC Converter l Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Device Marking and Package Information Device Package Marking C

Другие IGBT... CSFR7N60D, CSFR7N60U, CSN03N2P2, CSN03N3P9, CSN04N1P5, CSN06N3P6, CSNC04N8P5, CSP08N6P5, 12N60, CSP10N8P3, CST08N50U, CST08N50D, CST08N50F, CST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLF, CST30N10F