Справочник MOSFET. CSP10N4P2

 

CSP10N4P2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CSP10N4P2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 284 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 83 nC
   Время нарастания (tr): 33 ns
   Выходная емкость (Cd): 1656 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для CSP10N4P2

 

 

CSP10N4P2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1172K  convert
 csp10n4p2.pdf

CSP10N4P2 CSP10N4P2

CSP10N4P2100V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingC

 8.1. Size:562K  convert
 csp10n8p3.pdf

CSP10N4P2 CSP10N4P2

CSP10N8P3100V N-Channel Split Gate MOSFETFEATURESl Super Low Gate Chargel 100% EAS Guaranteedl RoHS compliantl Green Device Availablel Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONSlDC/DC Converterl Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingC

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF4905 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top