Справочник MOSFET. CST08N50F

 

CST08N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CST08N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CST08N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST08N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  convert
 cst08n50u cst08n50d cst08n50f.pdf pdf_icon

CST08N50F

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST08N50U, CST08N50D,CST08N50F500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST08N50U TO-251

Другие MOSFET... CSN04N1P5 , CSN06N3P6 , CSNC04N8P5 , CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , IRLZ44N , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U , CST30N10D , CST30N10P , CST9N20LF .

History: 12N80L-TF2-T | NP22N055HHE | AP9990GP-HF | IPA60R250CP | BUK7Y4R4-40E | HGB110N10SL

 

 
Back to Top

 


 
.