Справочник MOSFET. CST1N50DLD

 

CST1N50DLD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CST1N50DLD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для CST1N50DLD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST1N50DLD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  convert
 cst1n50dlu cst1n50dld cst1n50dlf.pdf pdf_icon

CST1N50DLD

nvertCST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLFSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST1N50DLU T

Другие MOSFET... CSNC04N8P5 , CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , IRLB4132 , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U , CST30N10D , CST30N10P , CST9N20LF , CST9N20LP , CTB06N005 .

History: HM70P02D

 

 
Back to Top

 


 
.