CST1N50DLD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CST1N50DLD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CST1N50DLD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST1N50DLD даташит

 ..1. Size:638K  convert
 cst1n50dlu cst1n50dld cst1n50dlf.pdf pdf_icon

CST1N50DLD

nvert CST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLF Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CST1N50DLU T

Другие IGBT... CSNC04N8P5, CSP08N6P5, CSP10N4P2, CSP10N8P3, CST08N50U, CST08N50D, CST08N50F, CST1N50DLU, CS150N03A8, CST1N50DLF, CST30N10F, CST30N10U, CST30N10D, CST30N10P, CST9N20LF, CST9N20LP, CTB06N005