CST1N50DLF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CST1N50DLF. Основные параметры


   Наименование производителя: CST1N50DLF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CST1N50DLF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST1N50DLF даташит

 ..1. Size:638K  convert
 cst1n50dlu cst1n50dld cst1n50dlf.pdf pdf_icon

CST1N50DLF

nvert CST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLF Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CST1N50DLU T

Другие MOSFET... CSP08N6P5 , CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , NCEP15T14 , CST30N10F , CST30N10U , CST30N10D , CST30N10P , CST9N20LF , CST9N20LP , CTB06N005 , CTP06N005 .

History: BF960S | AGM065N10C

 

 
Back to Top

 


 
.