Справочник MOSFET. CST30N10F

 

CST30N10F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CST30N10F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CST30N10F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST30N10F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  convert
 cst30n10f cst30n10u cst30n10d cst30n10p.pdf pdf_icon

CST30N10F

CST30N10F,CST30N10U,nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST30N10D,CST30N10P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST30N10F TO-220F CST30N10FCST30N10D T

Другие MOSFET... CSP10N4P2 , CSP10N8P3 , CST08N50U , CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , IRFP250 , CST30N10U , CST30N10D , CST30N10P , CST9N20LF , CST9N20LP , CTB06N005 , CTP06N005 , CTD02N004 .

History: VBM1303 | SI9424DY | AP9576GM-HF | SE2N7002 | 2SK1737 | NCE80T900D | AP60T03GJ

 

 
Back to Top

 


 
.