CST30N10P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CST30N10P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CST30N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST30N10P даташит

 ..1. Size:662K  convert
 cst30n10f cst30n10u cst30n10d cst30n10p.pdf pdf_icon

CST30N10P

CST30N10F,CST30N10U, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CST30N10D,CST30N10P 100V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Device Marking and Package Information Device Package Marking CST30N10F TO-220F CST30N10F CST30N10D T

Другие IGBT... CST08N50D, CST08N50F, CST1N50DLU, CST1N50DLD, CST1N50DLF, CST30N10F, CST30N10U, CST30N10D, TK10A60D, CST9N20LF, CST9N20LP, CTB06N005, CTP06N005, CTD02N004, CTD02N007, CTD02N4P8, CTD03N003