CST30N10P - аналоги и даташиты транзистора

 

CST30N10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CST30N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CST30N10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CST30N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  convert
 cst30n10f cst30n10u cst30n10d cst30n10p.pdf pdf_icon

CST30N10P

CST30N10F,CST30N10U,nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CST30N10D,CST30N10P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCST30N10F TO-220F CST30N10FCST30N10D T

Другие MOSFET... CST08N50D , CST08N50F , CST1N50DLU , CST1N50DLD , CST1N50DLF , CST30N10F , CST30N10U , CST30N10D , 13N50 , CST9N20LF , CST9N20LP , CTB06N005 , CTP06N005 , CTD02N004 , CTD02N007 , CTD02N4P8 , CTD03N003 .

History: RD3L080SN | RD3G600GN | HFP10N60U | RD3P200SN | TSM2323CX | IPB049N08N5 | SHD226412

 

 
Back to Top

 


 
.