CTD06N017 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CTD06N017
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 5.1 ns
Выходная емкость (Cd): 140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm
Тип корпуса: TO-252
CTD06N017 Datasheet (PDF)
ctd06n017.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
nvertCTD06N017Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.60V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and
ctd06n030.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
nvertCTD06N030Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.60V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and
ctd06n070.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
nvertCTD06N070Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.60V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and
ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P568V N-Channel Trench MOSFETFEATURESTrench Power DTMOS technologyLow RDS(ON)Low Gate ChargeOptimized for fast-switching applicationsAPPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and IndustrialDevice Marking and Package Inf
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: LNG045R140