CTD06N017. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CTD06N017

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CTD06N017

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTD06N017 даташит

 ..1. Size:868K  convert
ctd06n017.pdfpdf_icon

CTD06N017

nvert CTD06N017 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 60V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 7.1. Size:576K  convert
ctd06n030.pdfpdf_icon

CTD06N017

nvert CTD06N030 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 60V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 7.2. Size:612K  convert
ctd06n070.pdfpdf_icon

CTD06N017

nvert CTD06N070 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 60V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 8.1. Size:823K  convert
ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdfpdf_icon

CTD06N017

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P5 68V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Inf

Другие IGBT... CTD03N4P6, CTD03N8P5, CTD03P030, CTD03P7P5, CTD04N004, CTD04N11P5, CTD04N5P5, CTD04N7P5, 75N75, CTD06N030, CTD06N070, CTD06N7P5, CTB06N7P5, CTP06N7P5, CTD10N033, CTD10N100, CTD10P650