CTD06N030. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CTD06N030

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для CTD06N030

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTD06N030 даташит

 ..1. Size:576K  convert
 ctd06n030.pdf pdf_icon

CTD06N030

nvert CTD06N030 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 60V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 7.1. Size:868K  convert
 ctd06n017.pdf pdf_icon

CTD06N030

nvert CTD06N017 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 60V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 7.2. Size:612K  convert
 ctd06n070.pdf pdf_icon

CTD06N030

nvert CTD06N070 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 60V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched and

 8.1. Size:823K  convert
 ctd06n7p5 ctb06n7p5 ctp06n7p5.pdf pdf_icon

CTD06N030

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CTD06N7P5, CTB06N7P5,CTP06N7P5 68V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Inf

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CTD03N8P5, CTD03P030, CTD03P7P5, CTD04N004, CTD04N11P5, CTD04N5P5, CTD04N7P5, CTD06N017, AO3400A, CTD06N070, CTD06N7P5, CTB06N7P5, CTP06N7P5, CTD10N033, CTD10N100, CTD10P650, CTN04N7P5