CTP10N066. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CTP10N066

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CTP10N066

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTP10N066 даташит

 ..1. Size:610K  convert
 ctp10n066.pdf pdf_icon

CTP10N066

nvert CTP10N066 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

 9.1. Size:511K  convert
 ctp10p095.pdf pdf_icon

CTP10N066

nvert CTP10P095 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

Другие IGBT... CTP06N7P5, CTD10N033, CTD10N100, CTD10P650, CTN04N7P5, CTN04PN035, CTP03N2P7, CTP06N6P8, K2611, CTP10P095, CTQ06N085, CTS03P015, CTS03PP055, CTU03N8P5, CTU10P060, CTU20N170, CTU20N700