CTP10P095 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTP10P095  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTP10P095

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTP10P095 даташит

 ..1. Size:511K  convert
 ctp10p095.pdf pdf_icon

CTP10P095

nvert CTP10P095 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

 9.1. Size:610K  convert
 ctp10n066.pdf pdf_icon

CTP10P095

nvert CTP10N066 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

Другие IGBT... CTD10N033, CTD10N100, CTD10P650, CTN04N7P5, CTN04PN035, CTP03N2P7, CTP06N6P8, CTP10N066, EMB04N03H, CTQ06N085, CTS03P015, CTS03PP055, CTU03N8P5, CTU10P060, CTU20N170, CTU20N700, CTZ2302A