Справочник MOSFET. CTQ06N085

 

CTQ06N085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CTQ06N085

Маркировка: 602

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 5.5 nC

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 148 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для CTQ06N085

 

 

CTQ06N085 Datasheet (PDF)

0.1. ctq06n085.pdf Size:552K _convert

CTQ06N085
CTQ06N085

nvertCTQ06N085Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.60V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONS High frequency DC-DC converters Power switching applicationDevice Marking and Package InformationDevice Package MarkingCTQ06N085 SOT223 602Absolute

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top