Справочник MOSFET. CTU10P060

 

CTU10P060 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTU10P060
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для CTU10P060

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTU10P060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  convert
ctu10p060.pdfpdf_icon

CTU10P060

nvertCTU10P060Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.100V P-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

Другие MOSFET... CTP03N2P7 , CTP06N6P8 , CTP10N066 , CTP10P095 , CTQ06N085 , CTS03P015 , CTS03PP055 , CTU03N8P5 , AO4468 , CTU20N170 , CTU20N700 , CTZ2302A , CTZ2305A , CTZ2312A , CJ2324 , CJ3134KDW , CJ3139KDW .

History: CS20N60FA9H | VSD003N04MS-G | IXFN32N80P | UT8205AG-AG6-R | APT8024JFLL | 2SK2561-01R | RXH090N03

 

 
Back to Top

 


 
.