CTU10P060 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CTU10P060  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CTU10P060

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTU10P060 даташит

 ..1. Size:706K  convert
 ctu10p060.pdf pdf_icon

CTU10P060

nvert CTU10P060 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

Другие IGBT... CTP03N2P7, CTP06N6P8, CTP10N066, CTP10P095, CTQ06N085, CTS03P015, CTS03PP055, CTU03N8P5, IRF9640, CTU20N170, CTU20N700, CTZ2302A, CTZ2305A, CTZ2312A, CJ2324, CJ3134KDW, CJ3139KDW