CTU10P060 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CTU10P060
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-251
CTU10P060 Datasheet (PDF)
ctu10p060.pdf
nvert CTU10P060 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 100V P-Channel Trench MOSFET FEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an
Другие MOSFET... CTP03N2P7 , CTP06N6P8 , CTP10N066 , CTP10P095 , CTQ06N085 , CTS03P015 , CTS03PP055 , CTU03N8P5 , 60N06 , CTU20N170 , CTU20N700 , CTZ2302A , CTZ2305A , CTZ2312A , CJ2324 , CJ3134KDW , CJ3139KDW .
History: IXFV12N90PS
History: IXFV12N90PS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525


