CJ3139KDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJ3139KDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для CJ3139KDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJ3139KDW даташит

 ..1. Size:2229K  jiangsu
 cj3139kdw.pdf pdf_icon

CJ3139KDW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ3139KDW Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 95 1 8 TYP GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Includi

 7.1. Size:436K  jiangsu
 cj3139k.pdf pdf_icon

CJ3139KDW

P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Inte

 7.2. Size:2431K  jiangsu
 cj3139kw.pdf pdf_icon

CJ3139KDW

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3139KW P-Channel Power MOSFET SOT-323 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 3. DRAIN This Single P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to opti

 7.3. Size:1850K  cn tech public
 pcj3139k.pdf pdf_icon

CJ3139KDW

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CTU10P060, CTU20N170, CTU20N700, CTZ2302A, CTZ2305A, CTZ2312A, CJ2324, CJ3134KDW, 20N60, CJ3434, CJ3439KDW, CJ4459, CJ7252KDW, CJA03N10S, CJAA3134K, CJAA3139K, CJAB20N03