CJ3139KDW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CJ3139KDW
Маркировка: .39K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25(max) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для CJ3139KDW
CJ3139KDW Datasheet (PDF)
cj3139kdw.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETsCJ3139KDW Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 95 1 8 TYP GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Includi
cj3139k.pdf
P-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Lead Free Product is Acquired Load/Power Switching Surface Mount Package Inte
cj3139kw.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJ3139KW P-Channel Power MOSFETSOT-323 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 95 1 8 TYP 1. GATE 2. SOURCE GENERRAL DESCRIPTION 3. DRAIN This Single P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to opti
Другие MOSFET... CTU10P060 , CTU20N170 , CTU20N700 , CTZ2302A , CTZ2305A , CTZ2312A , CJ2324 , CJ3134KDW , 20N60 , CJ3434 , CJ3439KDW , CJ4459 , CJ7252KDW , CJA03N10S , CJAA3134K , CJAA3139K , CJAB20N03 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333