Справочник MOSFET. SSH4N80AS

 

SSH4N80AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH4N80AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH4N80AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH4N80AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  samsung
 ssh4n80as.pdf pdf_icon

SSH4N80AS

SSH4N80ASAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 2. (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charac

 7.1. Size:276K  semelab
 ssh4n80.pdf pdf_icon

SSH4N80AS

 9.1. Size:178K  1
 ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf pdf_icon

SSH4N80AS

 9.2. Size:165K  fairchild semi
 ssh4n90.pdf pdf_icon

SSH4N80AS

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A , SSH45N20A , SSH4N70 , SSH4N70A , K4145 , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 .

 

 
Back to Top

 


 
.