Справочник MOSFET. SSH4N80AS

 

SSH4N80AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSH4N80AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SSH4N80AS

 

 

SSH4N80AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  samsung
 ssh4n80as.pdf

SSH4N80AS SSH4N80AS

SSH4N80ASAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 2. (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charac

 7.1. Size:276K  semelab
 ssh4n80.pdf

SSH4N80AS SSH4N80AS

 9.1. Size:178K  1
 ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf

SSH4N80AS SSH4N80AS

 9.2. Size:165K  fairchild semi
 ssh4n90.pdf

SSH4N80AS SSH4N80AS

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.3. Size:208K  samsung
 ssh4n90as.pdf

SSH4N80AS SSH4N80AS

SSH4N90ASAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.7 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 3.054 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 9.4. Size:441K  semelab
 ssh4n55 ssh4n60.pdf

SSH4N80AS SSH4N80AS

SSH4N55 PCB24

Другие MOSFET... SSH3N70A , SSH40N15 , SSH40N15A , SSH40N20 , SSH40N20A , SSH45N20A , SSH4N70 , SSH4N70A , 12N60 , SSH4N90AS , SSH5N80A , SSH5N90A , SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 .

 

 
Back to Top