CJAB40SN10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJAB40SN10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB3.3X3.3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJAB40SN10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAB40SN10 даташит

 ..1. Size:3938K  1
 cjab40sn10.pdf pdf_icon

CJAB40SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40SN10 N-Channel Power MOSFET PDFNWB3.3 3.3-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5m @10V 100V 40A 11m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES

 ..2. Size:3938K  jiangsu
 cjab40sn10.pdf pdf_icon

CJAB40SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40SN10 N-Channel Power MOSFET PDFNWB3.3 3.3-8L ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5m @10V 100V 40A 11m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40SN10 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES

 8.1. Size:1352K  1
 cjab40n03.pdf pdf_icon

CJAB40SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 6.5m @10V 30 V 40A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

 8.2. Size:1352K  jiangsu
 cjab40n03.pdf pdf_icon

CJAB40SN10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3 3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB40N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX PDFNWB3.3 3.3-8L 6.5m @10V 30 V 40A 10.5m @4.5V DESCRIPTION The CJAB40N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJAB20N03, CJAB20SN06, CJAB25N03, CJAB25N04, CJAB25P03, CJAB25SN06, CJAB35P03, CJAB40N03, AON6414A, CJAB55N03, CJAB60N03, CJAC0410, CJAC100P03, CJAC100SN08, CJAC10H02, CJAC10TH10, CJAC110N03