CJAC100SN08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJAC100SN08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1870 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

Аналог (замена) для CJAC100SN08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJAC100SN08 даташит

 ..1. Size:3049K  jiangsu
 cjac100sn08.pdf pdf_icon

CJAC100SN08

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC100SN08 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L 2.9m @10V 80V 100A 4.3m @4.5V DESCRIPTION The CJAC100SN08 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Batte

 0.1. Size:1763K  1
 cjac100sn08u.pdf pdf_icon

CJAC100SN08

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC100SN08U N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L-B 80 V 100A 3.0m @10V DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using SGT technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, pr

 7.1. Size:2466K  1
 cjac100p03.pdf pdf_icon

CJAC100SN08

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC100P03 P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L 2.3m @-10V -30 V -100A 3.4m @-4.5V DESCRIPTION The CJAC100P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATU

 7.2. Size:2466K  jiangsu
 cjac100p03.pdf pdf_icon

CJAC100SN08

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 5 6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC100P03 P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP PDFN 5 6-8L 2.3m @-10V -30 V -100A 3.4m @-4.5V DESCRIPTION The CJAC100P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CJAB25SN06, CJAB35P03, CJAB40N03, CJAB40SN10, CJAB55N03, CJAB60N03, CJAC0410, CJAC100P03, 7N65, CJAC10H02, CJAC10TH10, CJAC110N03, CJAC110SN10, CJAC13TH06, CJAC150N03, CJAC20N03, CJAC20N10