Справочник MOSFET. CJAC110N03

 

CJAC110N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CJAC110N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 677 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: PDFNWB5X6-8L

 Аналог (замена) для CJAC110N03

 

 

CJAC110N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2101K  1
 cjac110n03.pdf

CJAC110N03 CJAC110N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 1.8m@10V30 V110A3.5m@4.5VDESCRIPTION FEATURES

 ..2. Size:2101K  jiangsu
 cjac110n03.pdf

CJAC110N03 CJAC110N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110N03 N-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)TYPPDFN 56-8L 1.8m@10V30 V110A3.5m@4.5VDESCRIPTION FEATURES

 7.1. Size:2395K  1
 cjac110sn10a.pdf

CJAC110N03 CJAC110N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10A N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(onTYP ID 3.4m@10V100V 110A4.5m@4.5VDESCRIPTION The CJAC110SN10A uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA

 7.2. Size:1662K  1
 cjac110sn10.pdf

CJAC110N03 CJAC110N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m@10V 110ADESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

 7.3. Size:1662K  jiangsu
 cjac110sn10.pdf

CJAC110N03 CJAC110N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN 56-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC110SN10 N-Channel Power MOSFETPDFN 56-8L V(BR)DSS RDS(on)TYP ID 100V 4.3m@10V 110ADESCRIPTION The CJAC110SN10 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Hig

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top