Справочник MOSFET. CJCD2005

 

CJCD2005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJCD2005
   Маркировка: 2005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB2X3-6L-C
 

 Аналог (замена) для CJCD2005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJCD2005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1794K  jiangsu
 cjcd2005.pdf pdf_icon

CJCD2005

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2005 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP m@4.5V9@4.0V m9.58A20V 9.7m@3.8Vm@3.1V10.612.5m@2.5VDESCRIPTION The CJCD2005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This dev

 7.1. Size:1698K  jiangsu
 cjcd2004.pdf pdf_icon

CJCD2005

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2004 Dual N-Channel MOSFET IDV(BR)DSS RDS(on)TYP m 7.3@4.5V m 7.6 @4.0V20V10A7.8m@3.8V8.2m@3.1Vm9.0@2.5VDESCRIPTION The CJCD2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

 7.2. Size:1603K  jiangsu
 cjcd2003.pdf pdf_icon

CJCD2005

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDDFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2003 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP 6.2 m@4.5V m 6.4 @4.0V18V10Am 6.8 @3.8VV 7.2 m@3.1 8.2 m@2.5VDESCRIPTION The CJCD2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

 7.3. Size:1507K  jiangsu
 cjcd2007.pdf pdf_icon

CJCD2005

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB23-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS DFNWB23-6L-CCJCD2007 Dual N-Channel MOSFETIDV(BR)DSS RDS(on)TYP m12.5 @4.5V m13 @4.0V20V8Am@3.8V 13.5m@3.1V 14.5m 17 @2.5VDESCRIPTION The CJCD2007 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEB6086 , CEF9060N , CEB93A3 , CES2322 , CEZ3P08 , CEZ3R04 , CJCD2003 , CJCD2004 , CS150N03A8 , CJCD2007 , CJDE8404 , CJE3134K , CJE3139K , CJFB30H20 , CJK1211 , CJK1508 , CJK2009 .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | BRD7N65S

 

 
Back to Top

 


 
.