Справочник MOSFET. CJM1206

 

CJM1206 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJM1206
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB2X2-6L-J
 

 Аналог (замена) для CJM1206

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJM1206 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1816K  jiangsu
 cjm1206.pdf pdf_icon

CJM1206

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1206 P-Channel Power MOSFET DFNWB2*2-6L-JID V(BR)DSS RDS(on)MAX m@-4.5V451. DRAIN 2. DRAIN -12V 60 m -6A@-2.5V3. GATE m@-1.8V90 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1206 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate

 9.1. Size:1675K  jiangsu
 cjm1216.pdf pdf_icon

CJM1206

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1216 P-Channel Power MOSFET DFNWB22-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 21m@-4.5V 1. DRAIN -12 -16A V 27m@-2.5V 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1216 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate charge and

Другие MOSFET... CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , IRF9640 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 .

History: VBM1104N

 

 
Back to Top

 


 
.