CJM1206 - описание и поиск аналогов

 

CJM1206. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJM1206

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: DFNWB2X2-6L-J

Аналог (замена) для CJM1206

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJM1206 даташит

 ..1. Size:1816K  jiangsu
 cjm1206.pdf pdf_icon

CJM1206

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1206 P-Channel Power MOSFET DFNWB2*2-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX m @-4.5V 45 1. DRAIN 2. DRAIN -12V 60 m -6A @-2.5V 3. GATE m @-1.8V 90 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1206 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate

 9.1. Size:1675K  jiangsu
 cjm1216.pdf pdf_icon

CJM1206

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJM1216 P-Channel Power MOSFET DFNWB2 2-6L-J ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 21m @-4.5V 1. DRAIN -12 -16A V 27m @-2.5V 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN 6. DRAIN DESCRIPTION The CJM1216 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) , low gate charge and

Другие MOSFET... CJK3401A , CJK3401AH , CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , K2611 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.