DMG4N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMG4N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO263
DMG4N65 Datasheet (PDF)
dmp4n65 dmd4n65 dmt4n65 dmf4n65 dmk4n65 dmg4n65.pdf
4N65650V N-Channel Power MOSFET RDS(ON)
dmg4n65ct.pdf
DMG4N65CT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for power application TC = 25C Low Input/Output Leakage 650V 3.0@VGS = 10V TO220-3 4.0 A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q
dmg4n65cti.pdf
DMG4N65CTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for power application TC = 25C Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 650V 3.0@VGS = 10V ITO220-3 4.0 A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC
dmg4n65ct.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMG4N65CTFEATURESDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
dmg4n65cti.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMG4N65CTIFEATURESDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
