Справочник MOSFET. SSH6N80AS

 

SSH6N80AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH6N80AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH6N80AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH6N80AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:931K  samsung
 ssh6n80as.pdf pdf_icon

SSH6N80AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.472 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 7.1. Size:272K  semelab
 ssh6n80.pdf pdf_icon

SSH6N80AS

 9.1. Size:307K  1
 ssh6n55 ssh6n60.pdf pdf_icon

SSH6N80AS

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 9.2. Size:946K  samsung
 ssh6n90a.pdf pdf_icon

SSH6N80AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.829 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , RFP50N06 , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 .

History: WM10N02M | NCEP40P80D

 

 
Back to Top

 


 
.