SSH6N80AS - описание и поиск аналогов

 

SSH6N80AS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH6N80AS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH6N80AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH6N80AS даташит

 ..1. Size:931K  samsung
 ssh6n80as.pdf pdf_icon

SSH6N80AS

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.472 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 7.1. Size:272K  semelab
 ssh6n80.pdf pdf_icon

SSH6N80AS

 9.1. Size:307K  1
 ssh6n55 ssh6n60.pdf pdf_icon

SSH6N80AS

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.2. Size:946K  samsung
 ssh6n90a.pdf pdf_icon

SSH6N80AS

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.829 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSH60N06 , SSH60N06A , SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , AON7410 , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 .

History: WMN15N65F2 | 2SK1444LS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.