DMN1002UCA6 - описание и поиск аналогов

 

DMN1002UCA6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN1002UCA6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2186 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 758 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00275 Ohm

Тип корпуса: X4-DSN3118-6

Аналог (замена) для DMN1002UCA6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN1002UCA6 даташит

 ..1. Size:430K  diodes
dmn1002uca6.pdfpdf_icon

DMN1002UCA6

DMN1002UCA6 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features CSP with Footprint 3.05mm 1.77mm IS BVSSS RSS(ON) Max Height = 0.11mm for Low Profile TA = +25 C ESD Protection of Gate 2.75m @ VGS = 4.5V 24.4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12V 6.1m @ VGS = 2.5V 16.4A Halogen and Antimony Free. Green D

 8.1. Size:147K  diodes
dmn100.pdfpdf_icon

DMN1002UCA6

DMN100 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Extremely Low On-Resistance 170m @ VGS = 4.5V Case SC-59 Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound. High Drain Current 1.1A UL Flammability Classification Rating 94V-0 Ideal for Notebook Computer, Portable Phone, PCMCIA Moisture Sensitivity Level 1 per J-

 8.2. Size:508K  diodes
dmn1003uca6.pdfpdf_icon

DMN1002UCA6

DMN1003UCA6 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features CSP with Footprint 3.54mm 1.77mm IS Height = 0.21mm for Low Profile BVSSS RSS(ON) Max TA = +25 C ESD Protection of Gate 3.2m @ VGS = 4.5V 23.6A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12V 6.3m @ VGS = 2.5V 16.8A Halogen and Antimony Free. Green De

 8.3. Size:410K  diodes
dmn1006uca6.pdfpdf_icon

DMN1002UCA6

DMN1006UCA6 6 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features IS CSP with Footprint 2.70mm 1.81mm BVSSS RSS(ON) MAX TA = +25 C Height = 0.21mm for Low Profile ESD Protection of Gate 5.9m @ VGS = 4.5V 16.6A 12V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 9.0m @ VGS = 2.5V 12.1A Halogen and Antimony Free. Green De

Другие MOSFET... DMG2301L , DMG2301LK , DMG2302UK , DMG2302UQ , DMG2305UXQ , DMG3414UQ , DMG7401SFGQ , DMHT6016LFJ , CS150N03A8 , DMN1003UCA6 , DMN1006UCA6 , DMN2009USS , DMN2036UCB4 , DMN2056U , DMN2058U , DMN3009LFVW , DMN3009SK3 .

History: WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.