Справочник MOSFET. DMN2056U

 

DMN2056U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN2056U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для DMN2056U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2056U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  diodes
dmn2056u.pdfpdf_icon

DMN2056U

DMN2056U 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max BVDSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 38m @ VGS = 4.5V 4.0A Fast Switching Speed 20V 45m @ VGS = 2.5V 3.7A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 8.1. Size:168K  diodes
dmn2050l.pdfpdf_icon

DMN2056U

DMN2050LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 29m @VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 50m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 100m

 8.2. Size:231K  diodes
dmn2050lfdb.pdfpdf_icon

DMN2056U

DMN2050LFDBDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 45m @ VGS = 4.5V 4.5A Low Input/Output Leakage 20V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 55m @ VGS = 2.5V 4.1A Halogen and Antimony Free

 8.3. Size:480K  diodes
dmn2058u.pdfpdf_icon

DMN2056U

DMN2058U 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance BVDSS RDS(ON) Max ID Max Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 4.6A 35m @ VGS = 10V Fast Switching Speed 20V Low Input/Output Leakage 40m @ VGS = 4.5V 4.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen an

Другие MOSFET... DMG3414UQ , DMG7401SFGQ , DMHT6016LFJ , DMN1002UCA6 , DMN1003UCA6 , DMN1006UCA6 , DMN2009USS , DMN2036UCB4 , IRFZ24N , DMN2058U , DMN3009LFVW , DMN3009SK3 , DMN3018SSS , DMN3023L , DMN3032LFDB , DMN3110LCP3 , DMN4031SSDQ .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P

 

 
Back to Top

 


 
.