DMN3110LCP3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMN3110LCP3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
Тип корпуса: X2-DSN1006-3
Аналог (замена) для DMN3110LCP3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMN3110LCP3 даташит
dmn3110lcp3.pdf
DMN3110LCP3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Qg & Qgd BVDSS RDS(ON) Max TA = +25 C Small Footprint Low Profile 0.30mm Height 69m @ VGS = 8V 3.2A 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 80m @ VGS = 4.5V 3.0A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description Mecha
dmn3110s.pdf
DMN3110S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 73m @ VGS = 10V 3.3A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 30V 110m @ VGS = 4.5V 2.7A Quali
dmn3110s.pdf
Product specification DMN3110S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = 25 C Fast Switching Speed 73m @ VGS = 10V 3.3A Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) 30V 110m @ VGS = 4.5V 2.7A Qualified to AEC-Q101 sta
dmn3112sss.pdf
DMN3112SSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOP-8L 57m @ VGS = 10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 112m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D
Другие MOSFET... DMN2036UCB4 , DMN2056U , DMN2058U , DMN3009LFVW , DMN3009SK3 , DMN3018SSS , DMN3023L , DMN3032LFDB , 10N65 , DMN4031SSDQ , DMN4035L , DMN4060SVT , DMN4800LSSQ , DMN53D0LQ , DMN6040SSDQ , DMN6040SVTQ , DMN6070SY .
History: WMK18N70EM | 3SK206
History: WMK18N70EM | 3SK206
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614







