Справочник MOSFET. DMN61D8LVT

 

DMN61D8LVT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN61D8LVT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 301 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для DMN61D8LVT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN61D8LVT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  diodes
dmn61d8l dmn61d8lvt.pdfpdf_icon

DMN61D8LVT

DMN61D8L/LVT Product Summary Features and Benefits ID max Provides a more reliable and robust interface between sensitive V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C logic and DC relay coils. Replaces 3-4 discrete components enabling PCB footprint to be 1.8 @ VGS = 5V 60V 470mA reduced. 2.4 @ VGS = 3V Internal active clamp removes the need for external zener diode.

 6.1. Size:505K  diodes
dmn61d8lq.pdfpdf_icon

DMN61D8LVT

DMN61D8LQ INTEGRATED RELAY AND INDUCTIVE LOAD DRIVER Product Summary Features and Benefits Provides A More Reliable And Robust Interface Between ID Max Sensitive Logic And DC Relay Coils BVDSS RDS(ON) Max TA = +25 Replaces 3 to 4 Discrete Components Enabling PCB Footprint C To Be Reduced 1.8 @ VGS = 5V 60V 470mA Internal Active Clamp Removes The Need For E

 8.1. Size:480K  diodes
dmn61d9uw.pdfpdf_icon

DMN61D8LVT

DMN61D9UW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 2 @ VGS = 5.0V 340mA 60V Fast Switching Speed 300mA 2.5 @ VGS = 2.5V Low Input/Output Leakage ESD Protected Up To 2kV Description Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not

 9.1. Size:552K  diodes
dmn6140l.pdfpdf_icon

DMN61D8LVT

DMN6140L 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 140m @ VGS = 10V 2.3A 60V Low Input/Output Leakage 170m @ VGS = 4.5V 2.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Gr

Другие MOSFET... DMN4060SVT , DMN4800LSSQ , DMN53D0LQ , DMN6040SSDQ , DMN6040SVTQ , DMN6070SY , DMN61D8L , DMN61D8LQ , IRF830 , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW , DMN65D8LQ , DMN67D8L , DMN67D8LW , DMN7022LFGQ .

History: AP4N2R6P | VBFB16R02 | BRCS120N06SYM | MTN7451J3 | P1850EF | SSM3K336R | DMN67D8LW

 

 
Back to Top

 


 
.