DMN65D8LQ - описание и поиск аналогов

 

DMN65D8LQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN65D8LQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для DMN65D8LQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN65D8LQ даташит

 ..1. Size:455K  diodes
dmn65d8lq.pdfpdf_icon

DMN65D8LQ

DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full

 6.1. Size:148K  diodes
dmn65d8lw.pdfpdf_icon

DMN65D8LQ

DMN65D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant

 6.2. Size:143K  diodes
dmn65d8l.pdfpdf_icon

DMN65D8LQ

DMN65D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not

 6.3. Size:188K  diodes
dmn65d8ldw.pdfpdf_icon

DMN65D8LQ

Green DMN65D8LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low On-Resistance TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 8 @ VGS = 5V 170mA Low Input Capacitance 60V SOT363 6 @ VGS = 10V 200mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1KV (HBM)

Другие MOSFET... DMN6070SY , DMN61D8L , DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW , IRFB31N20D , DMN67D8L , DMN67D8LW , DMN7022LFGQ , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ , DMP1005UFDF , DMP1009UFDF .

History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.