DMN65D8LQ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMN65D8LQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.31 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3.2 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для DMN65D8LQ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMN65D8LQ даташит
dmn65d8lq.pdf
DMN65D8LQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 310mA 3 @ VGS = 10V 60V SOT23 Fast Switching Speed 4 @ VGS = 5V 270mA Small Surface Mount Package ESD Protected Gate Description Totally Lead-Free & Full
dmn65d8lw.pdf
DMN65D8LW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 300mA Fast Switching Speed 60V SOT323 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 260mA ESD Protected Gate, 1KV (HBM) Lead-Free Finish; RoHS Compliant
dmn65d8l.pdf
DMN65D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 3 @ VGS = 10V 310mA Fast Switching Speed 60V SOT23 Small Surface Mount Package 4 @ VGS = 5V 270mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Not
dmn65d8ldw.pdf
Green DMN65D8LDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Dual N-Channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(ON) Package Low On-Resistance TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 8 @ VGS = 5V 170mA Low Input Capacitance 60V SOT363 6 @ VGS = 10V 200mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package ESD Protected Gate, 1KV (HBM)
Другие MOSFET... DMN6070SY , DMN61D8L , DMN61D8LQ , DMN61D8LVT , DMN61D9UW , DMN62D0U , DMN63D8L , DMN63D8LW , IRFB31N20D , DMN67D8L , DMN67D8LW , DMN7022LFGQ , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , DMNH6042SSDQ , DMP1005UFDF , DMP1009UFDF .
History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4
History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor





