DMNH6042SSDQ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMNH6042SSDQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для DMNH6042SSDQ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMNH6042SSDQ даташит
dmnh6042ssdq.pdf
DMNH6042SSDQ 60V DUAL N-CHANNEL 175 C MOSFET Product Summary Features and Benefits Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature ID Max V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 50m @ VGS = 10V 16.7A and Robust End Application 60V Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 65m @ VGS
dmnh6042sk3.pdf
DMNH6042SK3 Green 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Product Summary Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C ID Max BVDSS RDS(ON) Max Environments TC = +25 C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 50m @ VGS = 10V 25A and Robust End Application 60V 65m @ VGS = 4.5V 22A Low On-Resistance
dmnh6042sk3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH6042SK3 FEATURES Drain Current I = 25A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 50m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur
dmnh6012lk3.pdf
Green DMNH6012LK3 60V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 C - Ideal for High Ambient Temperature Environments ID max BVDSS RDS(ON) max 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable TC = +25 C 12m @ VGS = 10V 60A and Robust End Application 60V 50A 18m @ VGS = 4.5V Low On-Resistance L
Другие MOSFET... DMN63D8L , DMN63D8LW , DMN65D8LQ , DMN67D8L , DMN67D8LW , DMN7022LFGQ , DMNH4006SPSQ , DMNH6021SK3Q , IRF830 , DMP1005UFDF , DMP1009UFDF , DMP1055USW , DMP10H400SE , DMP10H400SEQ , DMP10H4D2S , DMP1100UCB4 , DMP2003UPS .
History: MMBFJ212 | NDT06N03 | 2SK443 | STD4N90K5 | 2SK774 | IRFB4410 | STD1NK80Z
History: MMBFJ212 | NDT06N03 | 2SK443 | STD4N90K5 | 2SK774 | IRFB4410 | STD1NK80Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor







