Справочник MOSFET. FHA150N06C

 

FHA150N06C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHA150N06C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для FHA150N06C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHA150N06C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:765K  feihonltd
 fha150n06c.pdf pdf_icon

FHA150N06C

N N-CHANNEL MOSFET FHA150N06C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 55 V Crss ( 850pF) Low Crss (typical 850pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2 m Fast switching Qg-typ 118nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved

Другие MOSFET... DMP2035UFDF , DMP2045U , DMP2088LCP3 , DMP2120U , DMP2123LQ , DMP2165UW , DMP2170U , DMP3007SCG , IRF740 , FHA20N50A , FHA20N90A , FHA24N50A , FHA28N50A , FHA86N30A , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A .

History: CEB13N5 | IRFSL4620PBF | CEB830G | FMV12N50E | APT24M120B2 | CHM6031LPAGP | RRQ020P03

 

 
Back to Top

 


 
.