FHA150N06C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FHA150N06C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для FHA150N06C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FHA150N06C даташит
fha150n06c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHA150N06C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 55 V Crss ( 850pF) Low Crss (typical 850pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2 m Fast switching Qg-typ 118nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved
Другие MOSFET... DMP2035UFDF , DMP2045U , DMP2088LCP3 , DMP2120U , DMP2123LQ , DMP2165UW , DMP2170U , DMP3007SCG , IRF740 , FHA20N50A , FHA20N90A , FHA24N50A , FHA28N50A , FHA86N30A , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y

