Справочник MOSFET. FHA150N06C

 

FHA150N06C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHA150N06C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FHA150N06C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:765K  feihonltd
fha150n06c.pdfpdf_icon

FHA150N06C

N N-CHANNEL MOSFET FHA150N06C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 55 V Crss ( 850pF) Low Crss (typical 850pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2 m Fast switching Qg-typ 118nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.