Справочник MOSFET. FHD15N10A

 

FHD15N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHD15N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15.6 nC
   Время нарастания (tr): 4.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 41 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для FHD15N10A

 

 

FHD15N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  feihonltd
 fhd15n10a.pdf

FHD15N10A FHD15N10A

5

 9.1. Size:116K  china
 fhd150.pdf

FHD15N10A

FHD150 NPN B C D E F G PCM Tc=25 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=2mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA VBEsat 3.0 V

 9.2. Size:763K  feihonltd
 fhd150n03b.pdf

FHD15N10A FHD15N10A

N N-CHANNEL MOSFET FHD150N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 405pF) Low Crss (typical 405pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.2m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 2.8m 100% 100% avalanche tested Qg-typ

 9.3. Size:1222K  feihonltd
 fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf

FHD15N10A FHD15N10A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP10N7R5H

 

 
Back to Top