Справочник MOSFET. FHD18P10A

 

FHD18P10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHD18P10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FHD18P10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD18P10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1367K  feihonltd
 fhd18p10a.pdf pdf_icon

FHD18P10A

P P-CHANNEL MOSFET FHD18P10A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID -18 A Low gate charge VDSS -100 V Crss ( 75pF) Low Crss (typical 75pF ) Rdson-typ @Vgs=-10V 92m Fast switching Rdson-typ @Vgs=-4.5V 95m 100% 100% avalanche tested Qg-typ 37

Другие MOSFET... FHA20N50A , FHA20N90A , FHA24N50A , FHA28N50A , FHA86N30A , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A , IRF1404 , FHD80N07C , FHF10N80A , FHF18N50A , FHF18N50C , FHF20N60A , FHP20N60A , FHA20N60A , FHF20N65A .

History: BLP038N10GL-D

 

 
Back to Top

 


 
.