FHD18P10A - описание и поиск аналогов

 

FHD18P10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHD18P10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для FHD18P10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD18P10A даташит

 ..1. Size:1367K  feihonltd
 fhd18p10a.pdf pdf_icon

FHD18P10A

P P-CHANNEL MOSFET FHD18P10A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID -18 A Low gate charge VDSS -100 V Crss ( 75pF) Low Crss (typical 75pF ) Rdson-typ @Vgs=-10V 92m Fast switching Rdson-typ @Vgs=-4.5V 95m 100% 100% avalanche tested Qg-typ 37

Другие MOSFET... FHA20N50A , FHA20N90A , FHA24N50A , FHA28N50A , FHA86N30A , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A , IRF1404 , FHD80N07C , FHF10N80A , FHF18N50A , FHF18N50C , FHF20N60A , FHP20N60A , FHA20N60A , FHF20N65A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.