FHD18P10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHD18P10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 90 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.105 Ohm
Тип корпуса: TO-252
FHD18P10A Datasheet (PDF)
..1. Size:1367K feihonltd
fhd18p10a.pdf
fhd18p10a.pdf
P P-CHANNEL MOSFET FHD18P10A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID -18 A Low gate charge VDSS -100 V Crss ( 75pF) Low Crss (typical 75pF ) Rdson-typ @Vgs=-10V 92m Fast switching Rdson-typ @Vgs=-4.5V 95m 100% 100% avalanche tested Qg-typ 37
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
