Справочник MOSFET. FHD18P10A

 

FHD18P10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHD18P10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для FHD18P10A

 

 

FHD18P10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1367K  feihonltd
 fhd18p10a.pdf

FHD18P10A FHD18P10A

P P-CHANNEL MOSFET FHD18P10A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID -18 A Low gate charge VDSS -100 V Crss ( 75pF) Low Crss (typical 75pF ) Rdson-typ @Vgs=-10V 92m Fast switching Rdson-typ @Vgs=-4.5V 95m 100% 100% avalanche tested Qg-typ 37

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top