Справочник MOSFET. SSH8N80A

 

SSH8N80A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSH8N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SSH8N80A

 

 

SSH8N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:935K  samsung
 ssh8n80a.pdf

SSH8N80A SSH8N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSy

 7.1. Size:272K  semelab
 ssh8n70 ssh8n80.pdf

SSH8N80A SSH8N80A

 9.1. Size:937K  samsung
 ssh8n90a.pdf

SSH8N80A SSH8N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , IRFZ24N , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A .

 

 
Back to Top