Справочник MOSFET. SSH8N80A

 

SSH8N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH8N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSH8N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH8N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:935K  samsung
 ssh8n80a.pdf pdf_icon

SSH8N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSy

 7.1. Size:272K  semelab
 ssh8n70 ssh8n80.pdf pdf_icon

SSH8N80A

 9.1. Size:937K  samsung
 ssh8n90a.pdf pdf_icon

SSH8N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , IRFP250 , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A .

History: GSM4102W | 2SK962 | JCS650S | IRF7450PBF | VB2703K | 2SJ537

 

 
Back to Top

 


 
.