SSH8N80A - описание и поиск аналогов

 

SSH8N80A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH8N80A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH8N80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH8N80A даташит

 ..1. Size:935K  samsung
 ssh8n80a.pdf pdf_icon

SSH8N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Sy

 7.1. Size:272K  semelab
 ssh8n70 ssh8n80.pdf pdf_icon

SSH8N80A

 9.1. Size:937K  samsung
 ssh8n90a.pdf pdf_icon

SSH8N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.247 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , AON7506 , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A .

History: SI1900DL | WSF40N10A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.