SSH8N80A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSH8N80A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 93 nC
Время нарастания (tr): 37 ns
Выходная емкость (Cd): 195 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO3P
SSH8N80A Datasheet (PDF)
ssh8n80a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSy
ssh8n90a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.6 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.247 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value
Другие MOSFET... SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , K2611 , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A .
