FHP12N60A - описание и поиск аналогов

 

FHP12N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHP12N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FHP12N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP12N60A даташит

 ..1. Size:784K  feihonltd
 fhp12n60a fhf12n60a.pdf pdf_icon

FHP12N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N60A/ FHF12N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.6 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt Im

 6.1. Size:158K  1
 fhp12n60.pdf pdf_icon

FHP12N60A

FHP12N60 FHP12N60 N MOS AC-DC DC-DC H PMW 12A,600V,RDS(on)( 0.6 TC=25 VDS

 7.1. Size:782K  feihonltd
 fhp12n65c fhf12n65c.pdf pdf_icon

FHP12N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHP12N65C/ FHF12N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 12A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.63 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 52nC dv/dt I

 9.1. Size:802K  feihonltd
 fhp120n08d.pdf pdf_icon

FHP12N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHP120N08D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 190pF) Low Crss (typical 190pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.0 m Fast switching Qg-typ 60nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHP10N60A , FHF10N60A , FHP10N65A , FHF10N65A , FHP10N65B , FHF10N65B , FHP110N8F5A , FHP120N08D , IRF1010E , FHF12N60A , FHP12N65C , FHF12N65C , FHP130N10A , FHP13N50A , FHF13N50A , FHP13N50C , FHF13N50C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.