FHU50N06D - описание и поиск аналогов

 

FHU50N06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHU50N06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для FHU50N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHU50N06D даташит

 ..1. Size:738K  feihonltd
 fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf pdf_icon

FHU50N06D

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 6.1. Size:299K  feihonltd
 fhu50n06a fhd50n06a.pdf pdf_icon

FHU50N06D

Другие MOSFET... FHU2N65D , FHD2N65D , FHP3205C , FHP3710C , FHP40N20A , FHP40N20C , FHP4410A , FHP50N06 , IRFB31N20D , FHD50N06D , FHP50N06A , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , FHP60N06B , FHP640A , FHP6N90A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.