Справочник MOSFET. FHU50N06D

 

FHU50N06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHU50N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для FHU50N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHU50N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  feihonltd
 fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf pdf_icon

FHU50N06D

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 6.1. Size:299K  feihonltd
 fhu50n06a fhd50n06a.pdf pdf_icon

FHU50N06D

Другие MOSFET... FHU2N65D , FHD2N65D , FHP3205C , FHP3710C , FHP40N20A , FHP40N20C , FHP4410A , FHP50N06 , IRF730 , FHD50N06D , FHP50N06A , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , FHP60N06B , FHP640A , FHP6N90A .

History: KHB9D0N90N1 | RU20P7C | IRF7465 | IRF7905 | MI4800 | SQ9407EY-T1 | WML07N65C2

 

 
Back to Top

 


 
.