SSI1N60A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSI1N60A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSI1N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI1N60A даташит

 ..1. Size:220K  1
 ssi1n60a ssw1n60a.pdf pdf_icon

SSI1N60A

 9.1. Size:293K  1
 ssi1n50a ssw1n50a.pdf pdf_icon

SSI1N60A

Другие IGBT... SSH80N06A, SSH8N55, SSH8N60, SSH8N80A, SSH8N90A, SSH9N80A, SSH9N90A, SSI1N50A, CS150N04A8, SSI2N60A, SSI2N80A, SSI2N90A, SSI3N80A, SSI3N90A, SSI4N60A, SSI4N80A, SSI4N80AS