Справочник MOSFET. SSI1N60A

 

SSI1N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSI1N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK

 Аналог (замена) для SSI1N60A

 

 

SSI1N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  1
ssi1n60a ssw1n60a.pdf

SSI1N60A
SSI1N60A

 9.1. Size:293K  1
ssi1n50a ssw1n50a.pdf

SSI1N60A
SSI1N60A

Другие MOSFET... SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , IRFP250 , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS .

 

 
Back to Top