FHP6N90A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHP6N90A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 42 ns
Выходная емкость (Cd): 111 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FHP6N90A Datasheet (PDF)
..1. Size:1057K feihonltd
fhp6n90a fhf6n90a.pdf
fhp6n90a fhf6n90a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP6N90A /FHF6N90A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 6A Low gate charge VDSS 900V Crss ( 11pF) Low Crss (typical 11pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.5 Fast switching Qg-typ 34nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improv
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
