SSI2N60A - описание и поиск аналогов

 

SSI2N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSI2N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для SSI2N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI2N60A даташит

 ..1. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSI2N60A

 7.1. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSI2N60A

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 7.2. Size:648K  fairchild semi
 ssw2n60b ssi2n60b.pdf pdf_icon

SSI2N60A

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 9.1. Size:204K  1
 ssi2n90a ssw2n90a.pdf pdf_icon

SSI2N60A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , 4N60 , SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A .

History: VS5810AS | CS730FA9RD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.