Справочник MOSFET. FHP75N100A

 

FHP75N100A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHP75N100A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FHP75N100A

 

 

FHP75N100A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  feihonltd
 fhp75n100a.pdf

FHP75N100A FHP75N100A

 8.1. Size:859K  feihonltd
 fhp75n75a.pdf

FHP75N100A FHP75N100A

N N-CHANNEL MOSFET FHP75N75A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 75 A Low gate charge VDSS 75 V Crss ( 270pF) Low Crss (typical 270pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 9..5m Fast switching Qg-typ 95nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top