Справочник MOSFET. FHP75N100A

 

FHP75N100A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP75N100A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP75N100A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP75N100A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  feihonltd
 fhp75n100a.pdf pdf_icon

FHP75N100A

 8.1. Size:859K  feihonltd
 fhp75n75a.pdf pdf_icon

FHP75N100A

N N-CHANNEL MOSFET FHP75N75A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 75 A Low gate charge VDSS 75 V Crss ( 270pF) Low Crss (typical 270pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 9..5m Fast switching Qg-typ 95nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved

Другие MOSFET... FHP60N06B , FHP640A , FHP6N90A , FHF6N90A , FHP730A , FHF730A , FHP740A , FHP740C , 2N7002 , FHP75N75A , FHP7N60A , FHF7N60A , FHP7N65A , FHF7N65A , FHP7N65G , FHP80N07A , FHP80N07B .

History: ME2325S-G

 

 
Back to Top

 


 
.