Справочник MOSFET. FHP80N07B

 

FHP80N07B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP80N07B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 63 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP80N07B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP80N07B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  feihonltd
 fhp80n07b.pdf pdf_icon

FHP80N07B

N N-CHANNEL MOSFET FHP80N07B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d

 6.1. Size:259K  feihonltd
 fhp80n07a.pdf pdf_icon

FHP80N07B

 7.1. Size:277K  feihonltd
 fhp80n08a.pdf pdf_icon

FHP80N07B

Другие MOSFET... FHP75N100A , FHP75N75A , FHP7N60A , FHF7N60A , FHP7N65A , FHF7N65A , FHP7N65G , FHP80N07A , IRF3205 , FHP80N08A , FHP830A , FHP830B , FHP840B , FHP8N60A , FHF8N60A , FHP8N60C , FHF8N60C .

History: NCEP029N10 | IRF7700 | SFF9140-28 | HSM4805 | WMO053NV8HGS | APT10050B2VFR

 

 
Back to Top

 


 
.