Справочник MOSFET. FHP80N07B

 

FHP80N07B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP80N07B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 63 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP80N07B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  feihonltd
fhp80n07b.pdfpdf_icon

FHP80N07B

N N-CHANNEL MOSFET FHP80N07B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d

 6.1. Size:259K  feihonltd
fhp80n07a.pdfpdf_icon

FHP80N07B

 7.1. Size:277K  feihonltd
fhp80n08a.pdfpdf_icon

FHP80N07B

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HAT1024RJ | 2SK2850 | IPD50R280CE | P0465CTF | SUU09N10-76P | NDT6N70 | SSF2305

 

 
Back to Top

 


 
.