FHP80N08A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FHP80N08A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FHP80N08A
FHP80N08A Datasheet (PDF)
fhp80n07b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP80N07B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d
Другие MOSFET... FHP75N75A , FHP7N60A , FHF7N60A , FHP7N65A , FHF7N65A , FHP7N65G , FHP80N07A , FHP80N07B , IRF740 , FHP830A , FHP830B , FHP840B , FHP8N60A , FHF8N60A , FHP8N60C , FHF8N60C , FHP8N65A .
History: IRF8306MTRPBF | STW37N60DM2AG | KIA3400 | SSG6680 | BRD18N06 | SI4946CDY | CS5N60FA9HD
History: IRF8306MTRPBF | STW37N60DM2AG | KIA3400 | SSG6680 | BRD18N06 | SI4946CDY | CS5N60FA9HD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106