FHP80N08A - описание и поиск аналогов

 

FHP80N08A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHP80N08A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FHP80N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP80N08A даташит

 ..1. Size:277K  feihonltd
 fhp80n08a.pdf pdf_icon

FHP80N08A

 7.1. Size:259K  feihonltd
 fhp80n07a.pdf pdf_icon

FHP80N08A

 7.2. Size:857K  feihonltd
 fhp80n07b.pdf pdf_icon

FHP80N08A

N N-CHANNEL MOSFET FHP80N07B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d

Другие MOSFET... FHP75N75A , FHP7N60A , FHF7N60A , FHP7N65A , FHF7N65A , FHP7N65G , FHP80N07A , FHP80N07B , IRF740 , FHP830A , FHP830B , FHP840B , FHP8N60A , FHF8N60A , FHP8N60C , FHF8N60C , FHP8N65A .

History: FHP640A | FHU2N65D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.