FHP80N08A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHP80N08A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FHP80N08A Datasheet (PDF)
7.2. Size:857K feihonltd
fhp80n07b.pdf
fhp80n07b.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP80N07B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918