Справочник MOSFET. FHD80N08B

 

FHD80N08B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHD80N08B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 73 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FHD80N08B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD80N08B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:946K  feihonltd
 fhs80n08b fhd80n08b.pdf pdf_icon

FHD80N08B

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N08B/FHD80N08B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 7.1. Size:1309K  feihonltd
 fhs80n07a fhd80n07a.pdf pdf_icon

FHD80N08B

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N07A/FHD80N07A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 68 V Crss ( 270pF) Low Crss (typical 270pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 7.2. Size:860K  feihonltd
 fhd80n07c.pdf pdf_icon

FHD80N08B

N N-CHANNEL MOSFET FHD80N07C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d

Другие MOSFET... FHF8N65A , FHS100N09A , FHS110N8F5A , FHS130N10A , FHS150N1F4A , FHS80N07A , FHD80N07A , FHS80N08B , IRFB4227 , FHS90N08C , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B , FHP100N03B , FHU100N03C .

History: 50N06FI | VQ1000J | HM4444

 

 
Back to Top

 


 
.