SSI4N60A - аналоги и даташиты транзистора

 

SSI4N60A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSI4N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для SSI4N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI4N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  1
 ssi4n60a ssw4n60a.pdf pdf_icon

SSI4N60A

 7.1. Size:644K  fairchild semi
 ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf pdf_icon

SSI4N60A

November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:181K  1
 ssi4n90as ssw4n90as.pdf pdf_icon

SSI4N60A

 9.2. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf pdf_icon

SSI4N60A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , 13N50 , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , SSI7N60A .

 

 
Back to Top

 


 
.