FHF7N65B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FHF7N65B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для FHF7N65B
FHF7N65B Datasheet (PDF)
fhu7n65b fhd7n65b fhp7n65b fhf7n65b.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU7N65B/FHD7N65B /FHP7N65B /FHF7N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.2 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested
fhp7n65a fhf7n65a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP7N65A /FHF7N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.0 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr
fhp7n60a fhf7n60a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP7N60A /FHF7N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.9 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr
Другие MOSFET... FHD630A , FHP630A , FHF630A , FHU70N03A , FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , FHP7N65B , K2611 , FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMH022N10LL | AGMH022N10H | AGM85P10D | AGM85P10A | AGM7N65D | AGM6N20D | AGM665E | AGM665D | AGM65R380F | AGM655D | AGM628S | AGM628MN | AGM628MD | AGM628MAP | AGM628M | AGM4025D
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943




