Справочник MOSFET. SSP2N60A

 

SSP2N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSP2N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SSP2N60A

 

 

SSP2N60A Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , SSI7N60A , SSP10N60A , SSP1N50A , SSP1N60A , 75N75 , SSP2N80A , SSP2N90A , SSP3N70 , SSP3N70A , SSP3N80A , SSP3N90A , SSP45N20A , SSP4N55 .