G18N20K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: G18N20K
Маркировка: 18N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17.7 nC
Время нарастания (tr): 21.1 ns
Выходная емкость (Cd): 81.2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO-252
G18N20K Datasheet (PDF)
..1. Size:4491K goford
g18n20k.pdf
g18n20k.pdf
GOFORDG18N20KFeatures VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 0.136 18A 200V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS CompliantApplication DC-DC & DC-AC Converters for telecom, industrial and consumer environment Uninterruptible Power Supply (UPS) Switch Mode Low Power Supplies Industrial Actuators Orderi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
