Справочник MOSFET. G18N20K

 

G18N20K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G18N20K
   Маркировка: 18N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G18N20K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4491K  goford
 g18n20k.pdf pdf_icon

G18N20K

GOFORDG18N20KFeatures VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 0.136 18A 200V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS CompliantApplication DC-DC & DC-AC Converters for telecom, industrial and consumer environment Uninterruptible Power Supply (UPS) Switch Mode Low Power Supplies Industrial Actuators Orderi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.