Справочник MOSFET. G18N20K

 

G18N20K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G18N20K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для G18N20K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G18N20K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4491K  goford
 g18n20k.pdf pdf_icon

G18N20K

GOFORDG18N20KFeatures VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 0.136 18A 200V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS CompliantApplication DC-DC & DC-AC Converters for telecom, industrial and consumer environment Uninterruptible Power Supply (UPS) Switch Mode Low Power Supplies Industrial Actuators Orderi

Другие MOSFET... G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , P0903BDG , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K .

 

 
Back to Top

 


 
.