G18N20K - описание и поиск аналогов

 

G18N20K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G18N20K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для G18N20K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G18N20K даташит

 ..1. Size:4491K  goford
 g18n20k.pdf pdf_icon

G18N20K

GOFORD G18N20K Features VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 0.136 18A 200V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS Compliant Application DC-DC & DC-AC Converters for telecom, industrial and consumer environment Uninterruptible Power Supply (UPS) Switch Mode Low Power Supplies Industrial Actuators Orderi

Другие MOSFET... G1007 , G10N10A , G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , IRF1407 , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K .

History: FDS3590 | APM3054NUC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.