G2003A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: G2003A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 190 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для G2003A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
G2003A даташит
g2003a.pdf
GOFORD G2003A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2003A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS = 190V,ID =3A RDS(ON)
Другие MOSFET... G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , 10N65 , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F .
History: JMSH0606PGD | SVD3205S | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | AS2303 | HD60N75
History: JMSH0606PGD | SVD3205S | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | AS2303 | HD60N75
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent