Справочник MOSFET. G2003A

 

G2003A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2003A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для G2003A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2003A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1106K  goford
 g2003a.pdf pdf_icon

G2003A

GOFORDG2003AN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2003A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS = 190V,ID =3A RDS(ON)

 9.1. Size:1028K  goford
 g2003.pdf pdf_icon

G2003A

GOFORDG2003Description The G2003 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 2.5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... G110N06K , G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , STP80NF70 , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F .

History: BUZ307 | FS10AS-2 | STD26P3LLH6 | CJ3400 | NCE70N290T

 

 
Back to Top

 


 
.