Справочник MOSFET. G20N06J

 

G20N06J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G20N06J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для G20N06J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G20N06J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  goford
g20n06j.pdfpdf_icon

G20N06J

GOFORDG20N06JN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe G20N06J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 60V ID (at VGS = 10V) 20A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 8.1. Size:162K  infineon
ipg20n06s2l-35 ipg20n06s2l-35 ds 10.pdfpdf_icon

G20N06J

IPG20N06S2L-35OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDS4)35mRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N06S2L-35 PG-TDSON-8-4 2N0

 8.2. Size:201K  infineon
ipg20n06s2l-65a.pdfpdf_icon

G20N06J

IPG20N06S2L-65AOptiMOS Power-TransistorProduct SummaryVDS55 VRDS(on),max3)65mID20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

 8.3. Size:196K  infineon
ipg20n06s4l-26a.pdfpdf_icon

G20N06J

IPG20N06S4L-26AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 60 VRDS(on),max4) 26mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

Другие MOSFET... G12P10K , G13N04 , G15N10C , G16P03 , G16P03S , G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , 13N50 , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , G30N20T , G30N20F , G33N03D3 .

History: NP90N04PDH

 

 
Back to Top

 


 
.